答:3nm臺積電工藝, 3nm工藝趨于完善,良品率平均在60%到70%。
臺積電3nm工藝優(yōu)勢1、功耗降低34%,性能提升18%,晶體管密度提升至少18%, 2、相同速度下臺積電 3nm 的邏輯密度增益增加 60%,功耗降低 30-35%, 3、并支持創(chuàng)新的臺積電 FINFLEX 架構,是目前最新最先進的芯片制程工藝。
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